- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Радиочастотные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Bulk
Тип транзистора
HEMT
Частота
1.03GHz ~ 1.09GHz
Коэффициент усиления
21.4dB
Номинальный ток
80A
Коэффициент шума
-
Тестовый ток
600mA
Выходная мощность
550W
Номинальное напряжение
65V
Типоразмер
-
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
-
Тестовое напряжение
50V
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Тестовое напряжение |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!