- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Радиочастотные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
MAGX-001214-500L0S
Производитель: M/A-Com Technology Solutions
Описание: TRANSISTOR GAN 500W 1.2-1.4GHZ
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Bulk
Тип транзистора
HEMT
Частота
1.2GHz ~ 1.4GHz
Коэффициент усиления
19.22dB
Номинальный ток
18.1A
Коэффициент шума
-
Тестовый ток
400mA
Выходная мощность
500W
Номинальное напряжение
65V
Типоразмер
-
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
-
Тестовое напряжение
50V
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Тестовое напряжение |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!