- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Радиочастотные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Bulk
Тип транзистора
pHEMT FET
Частота
2GHz
Коэффициент усиления
20dB
Номинальный ток
300mA
Коэффициент шума
0.6dB
Тестовый ток
135mA
Выходная мощность
24.5dBm
Номинальное напряжение
7V
Типоразмер
8-WFDFN Exposed Pad
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
8-LPCC (2x2)
Тестовое напряжение
4V
MPN | Серия | Описание | Тестовое напряжение |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!