- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Радиочастотные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
Производитель: CEL
Описание: IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Bulk
Тип транзистора
N-Channel
Частота
20GHz
Коэффициент усиления
10.5dB
Номинальный ток
15mA
Коэффициент шума
0.85dB
Тестовый ток
6mA
Выходная мощность
-
Номинальное напряжение
3V
Типоразмер
4-SMD, Flat Leads
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
-
Тестовое напряжение
2V
Выписки ТУ, Datasheet
MPN | Серия | Описание | Тестовое напряжение |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!