- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Радиочастотные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
Производитель: Cree/Wolfspeed
Описание: RF MOSFET HEMT 50V 12VFDFN
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип транзистора
HEMT
Частота
6GHz
Коэффициент усиления
20.4dB
Номинальный ток
-
Коэффициент шума
-
Тестовый ток
130mA
Выходная мощность
30W
Номинальное напряжение
125V
Типоразмер
12-VFDFN Exposed Pad
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
12-DFN (4x3)
Тестовое напряжение
50V
Выписки ТУ, Datasheet
MPN | Серия | Описание | Тестовое напряжение |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!