- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Радиочастотные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
Производитель: M/A-Com Technology Solutions
Описание: HEMT N-CH 28V 23W DC-3GHZ 8SOIC
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Тип транзистора
HEMT
Частота
0Hz ~ 3GHz
Коэффициент усиления
14dB
Номинальный ток
5A
Коэффициент шума
-
Тестовый ток
200mA
Выходная мощность
1.5W
Номинальное напряжение
100V
Типоразмер
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
8-SOIC
Тестовое напряжение
28V
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Тестовое напряжение |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!