PTAB182002FCV1R0XTMA1
Manufacturer: Infineon Technologies
Description: IC RF FET LDMOS 190W H-37248-4
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип транзистора
LDMOS
Частота
1.88GHz
Коэффициент усиления
15.5dB
Номинальный ток
10µA
Коэффициент шума
-
Тестовый ток
520mA
Выходная мощность
29W
Номинальное напряжение
65V
Типоразмер
H-37248-4
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
H-37248-4
Тестовое напряжение
28V
| MPN | Серия | Описание | Тестовое напряжение |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
