- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Радиочастотные силовые полевые МОП-транзисторы (MOSFET)
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tray
Тип транзистора
LDMOS
Частота
2.9GHz ~ 3.3GHz
Коэффициент усиления
8dB
Номинальный ток
12A
Коэффициент шума
-
Тестовый ток
20mA
Выходная мощность
100W
Номинальное напряжение
65V
Типоразмер
SOT-502A
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
LDMOST
Тестовое напряжение
32V
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Тестовое напряжение |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!