- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Высокочастотные биполярные транзисторы
MT3S16U(TE85L,F)
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип транзистора
NPN
Напряжение пробоя КЭ не более
5V
Коэффициент усиления
4.5dBi
Мощность не более
100mW
Ток коллектора не более
60mA
Диапазон рабочих температур
125°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
SC-70, SOT-323
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
USM
Предельная частота
4GHz
Типовой коэффициент шума дБ на частоте
2.4dB @ 1GHz
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
80 @ 5mA, 1V
MPN | Серия | Описание | Предельная частота | Типовой коэффициент шума дБ на частоте | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!