- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Высокочастотные биполярные транзисторы
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Cut Tape (CT)
Тип транзистора
NPN
Напряжение пробоя КЭ не более
10V
Коэффициент усиления
11dB
Мощность не более
100mW
Ток коллектора не более
30mA
Диапазон рабочих температур
125°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
SC-75, SOT-416
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
SSM
Предельная частота
6GHz
Типовой коэффициент шума дБ на частоте
-
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
120 @ 5mA, 5V
MPN | Серия | Описание | Предельная частота | Типовой коэффициент шума дБ на частоте | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!