- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBTs
Manufacturer: Vishay Semiconductor Diodes Division
Description: IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Схема включения
Three Level Inverter
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
109A
Мощность не более
294W
Диапазон рабочих температур
175°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
EMIPAK-2B
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
EMIPAK-2B
Тип
Trench
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
1.93V @ 15V, 75A
Ток отсечки не более
100µA
Входная емкость при напряжении КЭ
4.44nF @ 30V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
Yes
MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!