- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBTs
VS-ETF150Y65N
Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание: IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Схема включения
Half Bridge Inverter
Напряжение пробоя КЭ не более
650V
Ток коллектора не более
201A
Мощность не более
600W
Диапазон рабочих температур
175°C (TJ)
Способ монтажа
-
Типоразмер
Module
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Module
Тип
NPT
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.17V @ 15V, 150A
Ток отсечки не более
-
Входная емкость при напряжении КЭ
-
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
Yes
Выписки ТУ, Datasheet
MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!