VS-GB90SA120U
Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание: TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Схема включения
Single
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
149A
Мощность не более
862W
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
SOT-227-4
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
SOT-227
Тип
NPT
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
3.9V @ 15V, 75A
Ток отсечки не более
250µA
Входная емкость при напряжении КЭ
-
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
No
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
Посмотреть| MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
