- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBTs
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Схема включения
Half Bridge
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
460A
Мощность не более
1400W
Диапазон рабочих температур
-
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
D-3 Module
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
D3
Тип
-
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.45V @ 15V, 400A
Ток отсечки не более
1mA
Входная емкость при напряжении КЭ
18nF @ 25V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
No
| MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
