VS-50MT060WHTAPBF
Manufacturer: Vishay Semiconductor Diodes Division
Description: IGBT 600V 114A 658W MTP
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Схема включения
Half Bridge
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
114A
Мощность не более
658W
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
12-MTP Module
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
MTP
Тип
-
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
3.2V @ 15V, 100A
Ток отсечки не более
400µA
Входная емкость при напряжении КЭ
7.1nF @ 30V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
No
| MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
