IFS100B12N3E4_B39
Производитель: Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Описание: IGBT IFS100B12N3E4B39BOSA1
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Схема включения
Three Phase Inverter
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
100A
Мощность не более
515W
Диапазон рабочих температур
175°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
Module
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Module
Тип
Trench Field Stop
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.1V @ 15V, 100A
Ток отсечки не более
1mA
Входная емкость при напряжении КЭ
6.3nF @ 25V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
Yes
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
Посмотреть| MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
