VS-GT100TP120N
Manufacturer: Vishay Semiconductor Diodes Division
Description: IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Схема включения
Half Bridge
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
180A
Мощность не более
652W
Диапазон рабочих температур
175°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
INT-A-PAK (3 + 4)
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
INT-A-PAK
Тип
Trench
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.35V @ 15V, 100A
Ток отсечки не более
5mA
Входная емкость при напряжении КЭ
12.8nF @ 30V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
No
| MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
