- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBTs
VS-GB100TP120U
Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание: IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Схема включения
Half Bridge
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
150A
Мощность не более
735W
Диапазон рабочих температур
-
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
INT-A-Pak
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
INT-A-PAK
Тип
-
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
3.9V @ 15V, 100A
Ток отсечки не более
2mA
Входная емкость при напряжении КЭ
4.3nF @ 25V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
No
| MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
