VS-CPV363M4KPBF
Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание: MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Схема включения
-
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
11A
Мощность не более
36W
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
19-SIP (13 Leads), IMS-2
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
IMS-2
Тип
-
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.1V @ 15V, 6A
Ток отсечки не более
250µA
Входная емкость при напряжении КЭ
0.74nF @ 30V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
No
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
Посмотреть| MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
