- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBTs
Производитель: Fairchild/ON Semiconductor
Описание: IGBT MOLDING 600V 50A 7PM-GA
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Схема включения
Half Bridge
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
50A
Мощность не более
250W
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
7PM-GA
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
7PM-GA
Тип
-
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.8V @ 15V, 50A
Ток отсечки не более
250µA
Входная емкость при напряжении КЭ
3.46nF @ 30V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
No
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDF![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Библиотека САПР / Altium Designer
ПосмотретьMPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!