VS-GT400TH60N
Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание: IGBT 600V 530A 1600W DIAP
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Схема включения
Half Bridge
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
530A
Мощность не более
1600W
Диапазон рабочих температур
175°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
Double INT-A-PAK (3 + 8)
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Double INT-A-PAK
Тип
Trench
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.05V @ 15V, 400A
Ток отсечки не более
5mA
Входная емкость при напряжении КЭ
30.8nF @ 30V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
No
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
Посмотреть| MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
