- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBTs
Производитель: IXYS
Описание: MOD IGBT SIXPACK E+
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Схема включения
Three Phase
Напряжение пробоя КЭ не более
1700V
Ток коллектора не более
335A
Мощность не более
1400W
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 125°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
E+
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
E+
Тип
NPT
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.9V @ 15V, 225A
Ток отсечки не более
600µA
Входная емкость при напряжении КЭ
22nF @ 25V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
Yes
Выписки ТУ, Datasheet

Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!