VS-GT300YH120N
Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание: IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Схема включения
Half Bridge
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
341A
Мощность не более
1042W
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
Double INT-A-PAK (3 + 8)
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Double INT-A-PAK
Тип
Trench
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.17V @ 15V, 300A (Typ)
Ток отсечки не более
300µA
Входная емкость при напряжении КЭ
36nF @ 30V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
No
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
Посмотреть| MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
