BSM50GD120DN2G
Производитель: Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Описание: IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Схема включения
Full Bridge
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
78A
Мощность не более
400W
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
Module
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Module
Тип
-
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
3.7V @ 15V, 50A
Ток отсечки не более
-
Входная емкость при напряжении КЭ
33nF @ 25V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
No
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
Посмотреть| MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
