- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBTs
Manufacturer: IXYS
Description: MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Схема включения
Half Bridge
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
270A
Мощность не более
1130W
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
Y3-DCB
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Y3-DCB
Тип
NPT
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.7V @ 15V, 150A
Ток отсечки не более
10mA
Входная емкость при напряжении КЭ
11nF @ 25V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
No
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!