- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBTs
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Схема включения
Half Bridge
Напряжение пробоя КЭ не более
650V
Ток коллектора не более
720A
Мощность не более
1750W
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 175°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
Module
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Module
Тип
PT
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
1.8V @ 15V, 600A
Ток отсечки не более
1.8mA
Входная емкость при напряжении КЭ
-
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
Yes
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!