- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBTs
Производитель: IXYS
Описание: MODULE IGBT CBI E3
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Схема включения
Three Phase Inverter with Brake
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
85A
Мощность не более
350W
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 125°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
E3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
E3
Тип
NPT
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.6V @ 15V, 50A
Ток отсечки не более
3.7mA
Входная емкость при напряжении КЭ
3.3nF @ 25V
Вход
Three Phase Bridge Rectifier
Термистор с отрицательным ТКС
Yes
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!