- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBTs
BSM30GD60DLCE3224
Manufacturer: Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas
Description: IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Схема включения
Single
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
40A
Мощность не более
135W
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
Module
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Module
Тип
NPT
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.45V @ 15V, 30A
Ток отсечки не более
500µA
Входная емкость при напряжении КЭ
1.3nF @ 25V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
No
MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!