VS-100MT060WDF
Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Описание: IGBT 600V 121A 462W MTP
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Схема включения
-
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
121A
Мощность не более
462W
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
16-MTP Module
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
MTP
Тип
-
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.29V @ 15V, 60A
Ток отсечки не более
100µA
Входная емкость при напряжении КЭ
9.5nF @ 30V
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
Yes
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
Посмотреть| MPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
