- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBTs
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Схема включения
Three Phase Inverter with Brake
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
60A
Мощность не более
195W
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 125°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
E2
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
E2
Тип
PT
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.1V @ 15V, 35A
Ток отсечки не более
2.1mA
Входная емкость при напряжении КЭ
-
Вход
Standard
Термистор с отрицательным ТКС
Yes
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Ток отсечки не более | Входная емкость при напряжении КЭ | Вход | Термистор с отрицательным ТКС |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!