- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
Производитель: Microchip Technology
Описание: MOSFET 2N-CH 1200V
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип
2 N-Channel (Cascoded)
Номинальный ток стока при 25 С
-
Мощность не более
350mW
Диапазон рабочих температур
-25°C ~ 125°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
6-VFLGA
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
6-LFGA (3x3)
Особенности
Standard
Напряжение СИ
1200V (1.2kV)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
3000 Ohm @ 2mA, 2.8V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
1.6V @ 10µA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
-
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
50pF @ 25V
Выписки ТУ, Datasheet
MPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!