- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
SSM6N42FE(TE85L,F)
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип
2 N-Channel (Dual)
Номинальный ток стока при 25 С
800mA
Мощность не более
150mW
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
SOT-563, SOT-666
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
ES6 (1.6x1.6)
Особенности
Logic Level Gate
Напряжение СИ
20V
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
240 mOhm @ 500mA, 4.5V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
1V @ 1mA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
2nC @ 4.5V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
90pF @ 10V
Выписки ТУ, Datasheet
![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Datasheet
Посмотреть PDF![docs-item](/assets/201710/assets/img/ico-docs.png)
Библиотека САПР / Altium Designer
ПосмотретьMPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!