- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
TPC8212-H(TE12LQ,M
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип
2 N-Channel (Dual)
Номинальный ток стока при 25 С
6A
Мощность не более
450mW
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
8-SOP (5.5x6.0)
Особенности
Logic Level Gate
Напряжение СИ
30V
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
21 mOhm @ 3A, 10V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
2.3V @ 1mA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
16nC @ 10V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
840pF @ 10V
MPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!