SSM6N35FE,LM
Manufacturer: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A ES6
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип
2 N-Channel (Dual)
Номинальный ток стока при 25 С
180mA
Мощность не более
150mW
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
SOT-563, SOT-666
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
ES6 (1.6x1.6)
Особенности
Logic Level Gate
Напряжение СИ
20V
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
3 Ohm @ 50mA, 4V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
1V @ 1mA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
-
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
9.5pF @ 3V
| MPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
