- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tray
Тип
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Номинальный ток стока при 25 С
29.5A
Мощность не более
167W
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
Module
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Module
Особенности
Standard
Напряжение СИ
1200V (1.2kV)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
98 mOhm @ 20A, 20V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
2.2V @ 1mA (Typ)
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
61.5nC @ 20V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
900pF @ 800V
Выписки ТУ, Datasheet
MPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!