- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
Manufacturer: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип
N and P-Channel Complementary
Номинальный ток стока при 25 С
1.1A, 700mA
Мощность не более
390mW
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
6-XFDFN
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
X2-DFN1310-6
Особенности
Standard
Напряжение СИ
30V
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
0.95V @ 250µA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
0.9nC @ 4.5V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
65.9pF @ 25V
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!