SSM6L16FETE85LF
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип
N and P-Channel
Номинальный ток стока при 25 С
100mA
Мощность не более
150mW
Диапазон рабочих температур
150°C (TA)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
SOT-563, SOT-666
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
ES6 (1.6x1.6)
Особенности
Standard
Напряжение СИ
20V
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
3 Ohm @ 10mA, 4V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
1.1V @ 0.1mA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
-
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
9.3pF @ 3V
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
Посмотреть| MPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
