- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Bulk
Тип
2 N-Channel (Half Bridge)
Номинальный ток стока при 25 С
36A
Мощность не более
694W
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
SP4
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
SP4
Особенности
Standard
Напряжение СИ
1000V (1kV)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
270 mOhm @ 18A, 10V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
5V @ 5mA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
308nC @ 10V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
8700pF @ 25V
Выписки ТУ, Datasheet
MPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!