- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Bulk
Тип
4 N-Channel (H-Bridge)
Номинальный ток стока при 25 С
18A
Мощность не более
357W
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Chassis Mount
Типоразмер
SP3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
SP3
Особенности
Standard
Напряжение СИ
1000V (1kV)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
540 mOhm @ 9A, 10V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
5V @ 2.5mA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
154nC @ 10V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
4350pF @ 25V
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!