- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Тип
4 N-Channel, Matched Pair
Номинальный ток стока при 25 С
12mA, 3mA
Мощность не более
500mW
Диапазон рабочих температур
0°C ~ 70°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
16-DIP (0.300", 7.62mm)
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
16-PDIP
Особенности
Depletion Mode
Напряжение СИ
10.6V
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
500 Ohm @ 2.7V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
1.26V @ 1µA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
-
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
2.5pF @ 5V
Выписки ТУ, Datasheet
MPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!