Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Bulk
Тип
2 N-Channel (Half Bridge)
Номинальный ток стока при 25 С
444A (Tc)
Мощность не более
3000W
Диапазон рабочих температур
175°C (TJ)
Способ монтажа
-
Типоразмер
Module
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Module
Особенности
Silicon Carbide (SiC)
Напряжение СИ
1200V (1.2kV)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
4.3 mOhm @ 400A, 20V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
4V @ 105mA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
1127nC @ 20V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
-
Technical specifications statements, Datasheet
Datasheet
View PDF| MPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
