- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Bulk
Тип
2 N-Channel (Half Bridge)
Номинальный ток стока при 25 С
120A
Мощность не более
780W
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
-
Типоразмер
Module
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
Module
Особенности
Standard
Напряжение СИ
1200V (1.2kV)
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
-
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
2.7V @ 22mA
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
-
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
14000pF @ 10V
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!