- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Полевые транзисторы, MOSFET, JFET / Наборы силовых полевых МОП-транзисторов (MOSFET)
Manufacturer: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип
N and P-Channel
Номинальный ток стока при 25 С
3.9A, 3.7A
Мощность не более
1.8W
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
8-SOP
Особенности
Logic Level Gate
Напряжение СИ
60V
Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ
45 mOhm @ 8.2A, 10V
Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока
1V @ 250µA (Min)
Gate_Charge_Qg_Max__Vgs
24.2nC @ 10V
Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds
1407pF @ 40V
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Особенности | Напряжение СИ | Сопротивление канала не более при токе стока и напряжении ЗИ | Порогое напряжение ЗИ не более при токе стока | Gate_Charge_Qg_Max__Vgs | Input_Capacitance_Ciss_Max__Vds |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!