Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tape & Box (TB)
Тип транзистора
NPN
Ток коллектора не более
500mA
Напряжение пробоя КЭ не более
20V
Мощность не более
300mW
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
NS-B1
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
NS-B1
Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора
400mV @ 20mA, 500mA
Ток отсечки не более
100nA (ICBO)
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
300 @ 500mA, 2V
Предельная частота
200MHz
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
Посмотреть| MPN | Серия | Описание | Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора | Ток отсечки не более | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ | Предельная частота |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
