HN4B01JE(TE85L,F)
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ESV PLN
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип транзистора
NPN, PNP (Emitter Coupled)
Ток коллектора не более
150mA
Напряжение пробоя КЭ не более
50V
Мощность не более
100mW
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Surface Mount
Типоразмер
SOT-553
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
ESV
Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора
250mV @ 10mA, 100mA
Ток отсечки не более
100nA (ICBO)
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
120 @ 10MA, 100MA
Предельная частота
80MHz
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
Посмотреть| MPN | Серия | Описание | Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора | Ток отсечки не более | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ | Предельная частота |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
