ULN2803APG,CN
Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
Описание: TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Тип транзистора
8 NPN Darlington
Ток коллектора не более
500mA
Напряжение пробоя КЭ не более
50V
Мощность не более
1.47W
Диапазон рабочих температур
-40°C ~ 85°C (TA)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
18-DIP
Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора
1.6V @ 500µA, 350mA
Ток отсечки не более
-
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
1000 @ 350mA, 2V
Предельная частота
-
Выписки ТУ, Datasheet
Datasheet
Посмотреть PDF
Библиотека САПР / Altium Designer
Посмотреть| MPN | Серия | Описание | Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора | Ток отсечки не более | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ | Предельная частота |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
