Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tube
Тип транзистора
4 PNP (Quad)
Ток коллектора не более
600mA
Напряжение пробоя КЭ не более
40V
Мощность не более
650mW
Диапазон рабочих температур
-65°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-116
Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора
1.6V @ 30mA, 300mA
Ток отсечки не более
50nA (ICBO)
Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ
50 @ 300mA, 10V
Предельная частота
200MHz
Technical specifications statements, Datasheet
Datasheet
View PDF| MPN | Серия | Описание | Напряжение насыщения не более при токах базы и коллектора | Ток отсечки не более | Коэффициент усиления по постоянному току hFE не менее при токе коллектора Ic и напряжении коллекторэ | Предельная частота |
| Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
|---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!
