- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
GPA030A135MN-FDR
Manufacturer: Global Power Technologies Group
Description: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
1350V
Ток коллектора не более
60A
Мощность не более
329W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
600V, 30A, 5 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-3PN
Тип
Trench Field Stop
Импульсный ток коллектора
90A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.4V @ 15V, 30A
Потери на переключение
4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Заряд затвора
300nC
Время задержки переключения при 25 С
30ns/145ns
Время обратного восстановления
450ns
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!