- Компонент
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Техническая информация рядом: Выберете параметр для отбора аналогов.
Найдено позиций
-
Показать аналоги
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
600V
Ток коллектора не более
90A
Мощность не более
300W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
300V, 50A, 5 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-3P-3, SC-65-3
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
TO-3P
Тип
Trench
Импульсный ток коллектора
-
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
2.2V @ 15V, 50A
Потери на переключение
1.1mJ (on), 600µJ (off)
Заряд затвора
130nC
Время задержки переключения при 25 С
60ns/190ns
Время обратного восстановления
100ns
Выписки ТУ, Datasheet
MPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!