- Component
- Полупроводники / Диоды, транзисторы, тиристоры / Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночный биполярный транзистор с изолированным затвором IGBTs
Technical information nearby: Select the parameter for the selection of analogues.
Positions found
-
Show analogues
Упаковка
Tube
Напряжение пробоя КЭ не более
1200V
Ток коллектора не более
96A
Мощность не более
543W
Тип входного сигнала
Standard
Параметры теста
600V, 35A, 4.3 Ohm, 15V
Диапазон рабочих температур
-55°C ~ 150°C (TJ)
Способ монтажа
Through Hole
Типоразмер
TO-247-3 Variant
Типоразмер корпуса в каталоге поставщика
-
Тип
PT
Импульсный ток коллектора
140A
Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора
3.9V @ 15V, 35A
Потери на переключение
750µJ (on), 680µJ (off)
Заряд затвора
150nC
Время задержки переключения при 25 С
16ns/95ns
Время обратного восстановления
-
Technical specifications statements, Datasheet

Datasheet
View PDFMPN | Серия | Описание | Тип | Импульсный ток коллектора | Напряжение КЭ не более при напряжении ЗЭ и токе коллектора | Потери на переключение | Заряд затвора | Время задержки переключения при 25 С | Время обратного восстановления |
Дата загрузки | Тип файла | Описание | Скачать |
---|
Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь, чтобы получить возможность загрузить свою модель(3D, ECAD, MCAD и т.д.)
Если Вы хотите отправить нам библиотеку целиком - ждем на info@optochip.org, все загруженные данные - анонимны. Спасибо Вам, что поделились своими трудами с другими инженерами!